반도체 기초 test(실험) 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착test(실험) )
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작성일 22-10-13 22:35본문
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▲ 실험 원리 high energy를 가진 전자 beam을 만들고 이를 target material에 금속을 eaporate 시킨다.▲ 실험 목적, , ▲ 실험 원리, , ▲ 실험 결과, , ▲ 성장두께에 따른 저항값, , ▲ 결 론, , FileSize : 37K , 반도체 기초 실험 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착실험)기계실험과제 , 반도체 기초 실험 E beam 증착
반도체 기초 test(실험) 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착test(실험) )
Download : 반도체기초실험리포트E-beam을이용한금속증착실험.hwp( 33 )
▲ 실험 목적
▲ 실험 원리
▲ 실험 결과
▲ 성장두께에 따른 저항값
▲ 결 론
▲ 실험 목적 E-baem evaporator를 이용하여 Si wafer 위에 금속을 증착하여 표면금속저항과 전극을 통한 Si의 저항을 측정(測定) 한다. ☞ 600Å > 900Å 이유는? 모든물질은 그 구성원자의 구조가 다르므로 물질에 따라 자유전자가 이동하는 틈새를 다르게 한다. eaporate 된 금속 물질이 Si wafer 표면에 달라붙게 하여 금속 박막을 증착 시킨다. (물질의저항) = (물질의 종류에 따르…(drop)
설명
▲ test(실험) 목적, , ▲ test(실험) 원리, , ▲ test(실험) 결과, , ▲ 성장두께에 따른 저항값, , ▲ 결 론, , 파일크기 : 37K
순서
실험과제/기계
반도체,기초,실험,E,beam,증착,기계,실험과제
다. 그러므로 같은 수의 전자가 투입되어도 이동할 수 있는 틈새가 다르므로 단위시간당 통과할 수 있는 전자의 숫자는 달라진다. 통과해야할 길이가 긴 경우에는 처음 단에서 끝단까지 통과하는데 시간이 많이 걸리게 되고, 이에 따라서 단위시간당 통과하는데 어려움이 있게된다 저항을 나타내는 식은 다음과 같다. ▲ 실험 결과 -표 ▲ 성장두께에 따른 저항값 -그림 ▲ 결 론. 성장 두께에 따라 저항값이 다르게 나타났다. 또 같은 물질이라도 단면적이 클수록 이동할 수 있는 틈새공간은 넓어진다.